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全面導電釉がいしのコールドウェットオン時の表面抵抗特性

全面導電釉がいしのコールドウェットオン時の表面抵抗特性

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-037

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Wetting characteristics of semiconducting glaze insulators under cold-wet-switch-on cnditions

著者名: 伊藤 正俊(中部大学),池田 和也(中部大学),杉山 武示(中部大学),鈴木 道生(中部大学),松岡 良輔(中部大学),伊藤 進(日本ガイシ)

著者名(英語): Masatoshi Ito(Chubu University),Kazuya Ikeda(Chubu University),Takeshi Sugiyama(Chubu University),michio Suzuki(Chubu University),Ryosuke Matsuoka(Chubu University),susumu Ito(NGK Insulators,Ltd.)

キーワード: 湿潤|表面抵抗|絶対湿度|コールドウェットスイッチオン

要約(日本語): 全面導電釉がいしは、課電下では半導電性の釉薬中を流れる電流によって表面が乾燥し、優れた汚損耐電圧特性を示す。しかし、事故時や保守のため課電が停止され表面が汚損湿潤した状態で再課電されるコールドウェットスイッチオンの場合には、このような乾燥効果は期待できない。全面導電釉がいしのコールドウェットスイッチオン時の汚損耐電圧設計の指針を得るため、自然湿潤条件下で、人工汚損がいしの表面抵抗特性を調査した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,245 Kバイト

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