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汚損がいしの電位分布

汚損がいしの電位分布

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-042

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Electric potential distribution of contaminated insulators

著者名: 河瀬 一朗(名城大学),大脇淳一 (名城大学),内藤 克彦(名城大学),水野 幸男(名古屋工業大学),秋月優宏 (日本ガイシ),入江 孝(日本ガイシ)

著者名(英語): Kazuaki Kawase(Meijo University),Jun'ichi Owaki(Meijo University),Katsuhiko Naito(Meijo University),Yukio Mizuno(Nagaya Institute of Technology),Masahiro Akizuki(NGK Insulators,Ltd.),Takashi Irie(NGK Insulators,Ltd.)

キーワード: 通常がいし|全面導電釉がいし|電界緩和型がいし

要約(日本語): がいしに汚損物が付着すると、耐電圧が低下する。これまで、懸垂がいしの汚損対策として、表面漏れ距離を長くした耐塩がいしや表面の釉薬を半導電性とした全面導電釉がいしが開発されている。その後、250mm耐霧がいしの下面のピン周辺に導電釉を施すことにより、局部放電防止および汚損耐電圧向上が図れるとして、電界緩和型がいしが開発された。今回、通常がいし、全面導電釉がいし、電界緩和型がいしの電位分布の計算を行った結果、電界は、通常がいしに比べ、全面導電釉がいし・電界緩和型がいしの方が、緩和されていることが確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,057 Kバイト

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