縦型電圧変調Bi12SiO20結晶の変調率増大に及ぼす光照射の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-153

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル：縦型電圧変調Bi₁₂SiO₂₀結晶の変調率増大に及ぼす光照射の影響

タイトル(英語): Influence of Light Irradiation on the Modulation Depth of a Bi₁₂SiO₂₀ Crystal applied with Vertical Voltage

著者名: 檜垣 勝(九州共立大学),榎木田仁水 (九州共立大学)

著者名(英語): Masaru Higaki(Kyushu Kyoritsu University),Hitomi Enokida(Kyushu Kyoritsu University)

キーワード: 光応用計測|ポッケルス効果|BSO結晶|光照射|変調率

要約(日本語): ポッケルス効果を利用した光直流電圧計測システムで,縦型電圧変調のBSO結晶に外部から光を照射すると見掛け上ポッケルス効果による変調率が増大する現象が見られた。今回は光照射量を細かく変えて,変調率の増大に及ぼす光照射量の影響を調べ,光照射ありとなしでの変調率の経時変化を明らかにした。そのときの光照射量と変調率増大との関係,光照射時の変調率の電圧直線性,電圧極性の影響,交流電圧への影響の程度などを報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 506 Kバイト