ガスパフプラズマガンをイオン源としたパルス重イオンビーム加速器の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-189

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Development of Pulsed Heavy Ion Beam Accelerator with Gas Puff Plasma Gun

著者名: 手島 怜(富山大学),東山 昌義(富山大学),北村 岩雄(富山大学),升方 勝己(富山大学),田上 尚男(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Rei Tejima(Toyama University),Masayoshi Higashiyama(Toyama University),Iwao Kitamura(Toyama University),Katsumi Masugata(Toyama University),Hisao Tanoue(National Insitute of Advanced Industry Science and Technology),Kazuo Arai(National Insitute of Advanced Industry Science and Technology)

キーワード: パルスパワー|パルス重イオンビーム|SiC|電子絶縁用磁場コイル|イオンダイオード

要約(日本語): ガスパフプラズマガンをイオン源としたパルス重イオンビーム発生装置の開発。次世代の半導体として期待されているSiCは、イオン注入後にSi半導体に比べ高温のアニリーング処理が必要である。そのため、従来のアニーリング法ではSiC上の絶縁膜まで破壊してしまうために、SiC半導体を作るのが難しい。そこで、我々はSiC等の高温半導体への新しいイオン注入法として、アニーリング処理の必要のないパルス重イオンビームを用いたイオン注入法を提案する。パルスイオンビームは、直流のイオンビームに比べ短パルス、大電流密度、高エネルギーのビームである。パルスイオンビームをターゲットに照射した場合、ターゲットにイオンが注入されると同時にイオンの運動エネルギーが熱エネルギーに変換され、イオン注入層の再結晶化が起こる。このことから、イオン注入後のアニリーング処理が必要なく、SiC等の高温半導体へのイオン注入が可能となる。今回、ガスパフプラズマガンをイオン源としたパルス窒素イオンビーム発生装置を開発したので、その動作特性について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 718 Kバイト