低エネルギーイオン照射によるPMMAの表面改質IIIー深さ方向における改質層の構造ー

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-211

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Surface Modification of PMMA using Low Energy Ion Irradiation III-Depth Profile of Modified Layer-

著者名: 金井 弘士(武蔵工業大学),荒井 麻紗子(武蔵工業大学),浜村 尚樹(武蔵工業大学),湯本 雅恵(武蔵工業大学)

著者名(英語): Hiroshi Kanai(Musashi Institute of Technology),Masako Arai(Musashi Institute of Technology),Naoki Hamamura(Musashi Institute of Technology),Motoshige Yumoto(Musashi Institute of Technology)

キーワード: イオン照射|PMMA|深さ方向分析|架橋構造

要約(日本語): 著者らは、低エネルギーの窒素イオンを照射し、PMMAの表面改質を行っている。その結果、加速エネルギー100 eVで処理を行った場合、XPSスペクトルの波形分離より、表面から3～4 nm付近に架橋構造の導入が示唆できることを報告した。今回は、脱出光電子の平均自由行程:λを考慮し、構造に対する深さ方向の分布について検討を行う。λを考慮するのは、架橋構造が形成されていれば、実際の分布より深い位置に算出されたことになるからである。また、架橋構造が形成されていれば、化学的安定性を示し、溶剤に溶けにくくなることが予想されるため、塩化メチレンを滴下し、改質層の安定性向上の確認を行った結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 855 Kバイト