プラズマジェットによるc-BN薄膜生成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-212

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): c-BN thin film formation using plasma jet

著者名: 鵜飼 宏之(武蔵工業大学),白内 陽介(武蔵工業大学),小野 茂(武蔵工業大学),堤井信力 (武蔵工業大学)

著者名(英語): Hiroyuki Ukai(Musashi Institute of Technology),Yousuke Sirauchi(Musashi Institute of Technology),Sigeru Ono(Musashi Institute of Technology),Sinriki Teii(Musashi Institute of Technology)

キーワード: プラズマジェット|c-BN|h-BN成形体

要約(日本語): 超高温、高活性種密度、制御性に優れている等の特徴のあるプラズマジェットを用い、ダイヤモンドの結晶構造及び物理的化学的特性に類似した立方晶型窒化ホウ素(c-BN)の生成を試みる。代表的な生成法であるプラズマCVD法において、高質で厚膜なc-BN膜を生成したという報告もあるが、プラズマCVD法における、ジボラン(B3H6)等のホウ素を含む原料ガスは爆発性、強い毒性を有する。本研究では、原料となるホウ素に取り扱いが容易で安価なh-BN成形体を用い、プラズマジェットにより活性化した窒素ガスと反応させc-BNの生成を試みた。ある実験条件で生成した薄膜において、その分析を行ったところc-BN薄膜を生成することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 916 Kバイト