プラズマCVD-スパッタリング共同によるC-Cu-S合成金属膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-092

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): C-Cu-S Synthetic Metal Film by Cooperation Process of Plasma CVD and Sputtering

著者名: 水野 将範(名古屋大学),森田 慎三(名古屋大学)

著者名(英語): masanori Mizuno(Nagoya University),shinzo morita(Nagoya University)

キーワード: プラズマCVD・スパッタリング共同プロセス|合成金属|CH4|SF6|Ar混合ガス|C-Cu-S膜

要約(日本語): CH4、SF6、Ar混合ガスのプラズマCVDと放電電極上のCu金属のスパッタリングを同時に行うことにより、導電性を持つC-Cu-S合成金属膜を作製することが出来た。過去の実験では原子組成比で17%のCuを混入することに成功した。しかし、これはほぼ絶縁体であった。本実験では、実験のプロセスを見直し、以前よりも多くのCuを混入することができたことを報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 766 Kバイト