PLD法によるYBCO薄膜の臨界電流密度特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-093

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Critical current density characteristics in YBCO thin film by PLD method

著者名: 三浦 大介(東京都立大学),松本 要(京都大学),伊藤大佐 (東京都立大学),小野 祐介(東京都立大学)

著者名(英語): osuke miura(Tokyo Metropolitan University),kaname matumoto(Kyoto University),daisuke ito(Tokyo Metropolitan University),yusuke ono(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: YBCO|臨界電流密度

要約(日本語): YBCO超伝導体薄膜を用いたテープ状の次世代超伝導線材は臨界電流密度が非常に高く注目されている。YBCO高温超伝導薄膜の高臨界電流は今までどのタイプの結晶欠陥が原因であるかわからなかった。近年、粒界角度がθ<10°の結晶粒界(Grain Boundary:GB)がこれらの薄膜で観測される高臨界電流の原因となる強いピンニングセンターを供給する線形欠陥となることがわかった。そこで、パルスレーザー法(PLD法)を用いYBCO超伝導薄膜を作製する。その過程で、成膜温度を変化させることで、結晶状態を変え、臨界電流密度の向上のための最適な欠陥の量を調べ、その特性を知ることが目的です。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 574 Kバイト