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Alq3薄膜における表面電位発生とケルビン容量法、非線形光学的手法によるその評価

Alq3薄膜における表面電位発生とケルビン容量法、非線形光学的手法によるその評価

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-103

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Investigation of the Surface Potential Built Across the Alq3 Films on a Metal Electrode by Kelvin Probe and Second-Harmonic Generation

著者名: 間中 孝彰(東京工業大学),吉崎 圭(東京工業大学),志岐 明(東京工業大学),岩本 光正(東京工業大学)

著者名(英語): Takaaki Manaka(Tokyo Institute of Technology),Kei Yoshizaki(Tokyo Institute of Technology),Akira Shiki(Tokyo Institute of Technology),Mitsumasa Iwamoto(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 表面電位|SHG|有機EL

要約(日本語): 有機発光材料として注目されたAlq3 (Tris(8- quinolinolato)aluminum)において、真空中遮光化で蒸着すると分極構造の自発形成に由来すると思われる巨大表面電位が観測され、かつ光照射によるこの表面電位の消失することが見いだされた。このような表面電位は、電極から蒸着膜に注入される電荷と双極子の配向による自発分極に由来すると考えられるが、実際の自発分極形成過程や、光照射による消失過程などは、明らかになっていない。本研究では表面電位法と光第2次高調波発生法(SHG)を用いて、自発分極の形成とその消失について、分子配向を観測することで検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,199 Kバイト

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