導電性高分ダイオードへのドーピングにおけるドーパント輸送溶媒による影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-109

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Effects of the dopant carrier solvent on the doping to conducting polymer diodes

著者名: 和田昌之 (姫路工業大学),多田和也 (姫路工業大学),小野田光宣 (姫路工業大学)

キーワード: 導電性高分子|ショットキーダイオード|ドーピング|直列抵抗|ポリ(3-ヘキシルチオフェン)|塩化第二鉄

要約(日本語): 数十μmの高分子自立膜は基板を必要とせずに作製できるため柔軟であり、両面が開放された状態で電極を取り付けることが可能なため、センサ素子等への応用が興味深い。しかし未ドープ状態の膜をそのままダイオードとして用いると、膜の導電率が極めて低いため直列抵抗が高くなる。直列抵抗はドーピングにより低下でき、例えば直接高分子膜にドーピングを行った後、電極金属を蒸着する方法が考えられる。しかしこの場合、膜に付着したドーパントと電極金属が化学反応を起こしダイオードの整流性が失われてしまう。そこでフィルムの片面側からのみドーピングを行う構造を提案し、異なる溶媒を用いた時のドーパント浸透による影響の違いを評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 796 Kバイト