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PZT圧電薄膜を用いたMEMSスイッチの研究
PZT圧電薄膜を用いたMEMSスイッチの研究
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カテゴリ: 全国大会
論文No: 3-130
グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集
発行日: 2004/03/17
タイトル(英語): MEMS Switch using Piezoelectric PZT thin films
著者名: 遠藤 広宣(京都大学),神野伊策 (京都大学),寒川 潮(松下電器産業),小寺 秀俊(京都大学)
著者名(英語): Hironobu Endo(Kyoto University),Isaku Kanno(Kyoto University),Ushio Sangawa(Matsushita Electric Industrial),Hidetoshi Kotera(Kyoto University)
キーワード: 圧電薄膜|RFスイッチ|MEMS
要約(日本語): 現在までのRF-MEMSスイッチは静電気力による駆動が主流であるが,それらは駆動に必要な電圧が数十Vに及ぶために実用上大きな問題を有している.そこで本研究では低電圧で駆動させるため,これまでの静電駆動ではなく,圧電駆動のスイッチの開発を行い,その特性の評価を行った.本研究で導いたPZT薄膜の特性を基に最適な形状設計をすることにより,低電圧かつ高速応答が可能なMEMSスイッチが実現可能であると考えられる.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,517 Kバイト
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