SOIウェハを用いた多軸モーションセンサの基本特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-136

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Fundamental Properties of Multi-Axis Motion Sensor Using SOI Wafer

著者名: 渡部 善幸(山形県工業技術センター),峯田 貴(山形県工業技術センター),三井 俊明(山形県工業技術センター),岡田 和廣(ワコー),板野 弘道(ワコー),松 良幸(ワコー)

著者名(英語): Yoshiyuki Watanabe(Yamagata Research Institute of Technology),Takashi Mineta(Yamagata Research Institute of Technology),Toshiaki Mitsui(Yamagata Research Institute of Technology),Kazuhiro Okada(WACOH Corporation),Hiromichi Itano(WACOH Corporation),Yoshiyuki Matsu(WACOH Corporation)

キーワード: 多軸モーション|加速度|角速度|SOI|静電駆動|容量検出

要約(日本語): SOIウェハのバルクマイクロマシニング技術により、真空封止構造の静電駆動・容量検出型多軸モーションセンサを作製した。チップサイズは6.0×6.0×1.7mm3である。センサは、ガラス/SOI/ガラスの3層構造で、おもりは十字形状の梁で支えられた構造になっている。検出原理は、静電力でおもりを単振動させ、5軸モーション(3軸加速度および2軸角速度)によるおもりの変位や傾きを、おもりの上下に配置した電極により容量変化から求める。作製したセンサを静電駆動し、レゾネータの振動特性および加速度特性を評価したところ良好な結果を得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,326 Kバイト