600V-5A級プレーナ型4H-SiC JFETの試作・評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): 600V-5A-class 4H-SiC JFET

著者名: 水上 誠(東芝),滝川 修(東芝),今井 聖支(東芝),木下 浩三インフォメーションシステムズ(東芝インフォメーションシステムズ),畠山 哲夫(東芝),四戸 孝(東芝)

著者名(英語): makoto mizukami(Toshiba Corporation),osamu takikawa(Toshiba Corporation),seiji imai(Toshiba Corporation),kozo kinoshita(Toshiba I.S. Corporation),tetsuo hatakeyama(Toshiba Corporation),takashi shinohe(Toshiba Corporation)

キーワード: 炭化珪素|トランジスタ|電界効果

要約(日本語): 高耐圧-低オン抵抗なJFETを簡便な方法を用いて試作する為にゲート領域をMeV級のイオン注入法で形成した。また、高いチャネル密度を達成する為に、p+ゲート領域をソース電極と接触させずにソース電極下部に直角に配置し、ゲートコンタクト領域をチャネル領域の外側に設けた。ゲート深さ2.5μm、ゲート間隔2.5μmで試作した5A級JFETの静特性は耐圧600V(@Vg=-35V)、オン抵抗13mΩcm2(@Vg=2.5V)であった。電源電圧(Vd)が300V、外部抵抗RLが60Ωの時のターンオフ時間は200nsであった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 652 Kバイト