高速スイッチングにおける寄生インダクタンスと素子特性との相互関係

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Correlation between stray circuit inductance and device characteristics in a high speed switching operation

著者名: 色川 泰史(東京工業大学),高尾 和人(産業技術総合研究所),大橋 弘通(東京工業大学)

著者名(英語): Hirofumi Irokawa(Tokyo Institute of Technology),Kazuto Takao(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromichi Oohashi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 高速スイッチング|パワーデバイス|SiCデバイス

要約(日本語): 次世代燃料電池車やCPU電源などで、電力変換器の高パワー密度化が今後、重要になると言われている。高パワー密度の変換器の実現には、パワーデバイスの高速・低損失駆動が必要である。高速駆動をすると、デバイス固有のスイッチング損失に対して寄生インダクタンス(L_S)による損失が無視できなくなるが、変換器損失全体に与える両者の定量的な関係はあまり調べられていない。本報告では、高速デバイスとしてハードドライブされたMOSFETとSiCの還流ダイオードを使い、デバイス損失とL_Sによる損失の関係を調べた。講演では、スイッチング損失の詳細な解析結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 807 Kバイト