DC/DCコンバータSWサイド向け超低容量LD-MOS

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Ultra-Low Capacitance LD-MOS for SW Side of DC/DC-converter

著者名: 鉾本 吉孝(東芝セミコンダクター社),田中 文悟(東芝セミコンダクター社),高野 彰夫(東芝セミコンダクター社),佐藤 信幸(東芝セミコンダクター社),中山 和也(東芝セミコンダクター社),安原 紀夫(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Hokomoto Yoshitaka(Toshiba Corporation),Tanaka Bungo(Toshiba Corporation),Takano Akio(Toshiba Corporation),Sato Nobuyuki(Toshiba Corporation),Nakayama Kazuya(Toshiba Corporation),Yasuhara Norio(Toshiba Corporation)

キーワード: LDMOS|DC/DCコンバータ|容量|アバランシェ耐量

要約(日本語): パワーデバイスに求められる高効率性能は年々厳しくなっており、 CPUの電源部に用いられるDC/DCコンバータ回路においても、パワーデバイスの性能改善は加速度的に進んでいる。しかしパワーMOSFETにおいては、これまで低Ron化の追求により損失改善を行ってきたものが、動作周波数の高周波化に伴い、低ゲート容量化の重要性も高まってきた。今回我々は、低ゲート容量の追求による損失改善を目指し、同期整流型DC/DCコンバータ回路のSWサイド向けに、従来の同チップサイズ縦型トレンチMOSより、SW時の電荷量(Qsw)を60%以上低減した、超低容量のLDMOSを新規に開発した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 559 Kバイト