D級アンプ向け高速パワーMOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Fast switching Power MOSFET for D class audio amplifier

著者名: 泉沢 優(東芝セミコンダクター社),相田 聡(東芝セミコンダクター社),上月 繁雄(東芝セミコンダクター社),中山 和也(東芝セミコンダクター社),稲木 洋行(東芝セミコンダクター社),大蔵 厳太郎(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Masaru Izumisawa(TOSHIBA Corporation),Satoshi Aida(TOSHIBA Corporation),Shigeo Koduki(TOSHIBA Corporation),Kazuya Nakayama(TOSHIBA Corporation),Hiroyuki Inagi(TOSHIBA Corporation),Gentaro Ookura(TOSHIBA Corporation)

キーワード: MOSFET|シリサイド|微細化|高速|スイッチング

要約(日本語): デジタルアンプのパワー段で使用されるパワーMOSFETは高分解能のPWM(Pulse Width Modulation)オーディオ信号を基に動作させるため、短い1ビット単位のパルスを表現するためには、高速なスイッチング性能が求められる。そこで我々は素子構造の微細化と最適化、シリサイド(Silicide)ゲート構造の採用により、低容量かつ低ゲート抵抗化を実現したデジタルアンプ向け100V系高速パワーMOSFET 2SK3669を開発した。スイッチング時間tr,tfでは2ns程度と高速性能を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,122 Kバイト