半導体スイッチを用いた三相変圧器の励磁突入電流抑制法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-114

グループ名: 【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集

発行日: 2004/03/17

タイトル(英語): Elimination of Inrush Current from a Three-Phase Transformer by Means of Using Semiconductor Switches

著者名: 藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学)

著者名(英語): Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 変圧器|励磁突入電流|半導体スイッチ

要約(日本語): 単相変圧器では線間電圧が最大となる点で電源に投入することにより励磁突入電流を抑制できることはよく知られている。しかし, 三相変圧器の場合には, 線間電圧が最大となる点が各相間で異なるため, 投入位相を調整するだけでは励磁突入電流を抑制できないと考えられていた。このため, 三相変圧器の励磁突入電流抑制法として, 制限抵抗を直列接続し偏磁が解消した後に短絡する方式が用いられているが, 制限抵抗を短絡する際に突入電流が発生する可能性がある。本論文では, 交流スイッチの投入位相制御による三相変圧器の励磁突入電流の抑制法を提案し, 実験により動作原理を確認したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,318 Kバイト