Ar中MgO薄膜電極間の反射を含めた電子透過率と注入電力

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-053

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Electron Transmission Coefficient and Injection Power Including the Reflection between MgO Film Electrodes in Ar

著者名: 伊藤 晴雄(千葉工業大学),鈴木 進(千葉工業大学)

著者名(英語): Haruo Itoh(Chiba Institute of Technology),Susumu Suzuki(Chiba Institute of Technology)

キーワード: Ar|MgO薄膜|電子透過率|注入電力|モンテカルロシミュレーション

要約(日本語): Arを満たしたPDPセル中，MgO薄膜電極間の放電開始電圧からTownsendの火花条件式を用いてMgOの二次電離係数γをモンテカルロシミュレーション(MCS)による計算から決定した結果について報告した。そして，PDPの動作条件ではγは電子エネルギー非平衡状態のため，エネルギー平衡したと仮定した場合より25%大きくなることを述べた。また，イオンによる二次電子放出電子の初期エネルギーが大きくなるほど，γは僅かではあるが小さくなることも報告した。今回は，電子の初期エネルギーは電子透過率に大きな影響を与えることから，この点について電極での電子反射率を含めて議論する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 795 Kバイト