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シリコンウエハーの抵抗率とレーザー誘起熱弾性波の位相差との関係

シリコンウエハーの抵抗率とレーザー誘起熱弾性波の位相差との関係

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-132

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Relation between the Resistivity of Silicon Wafer and the Phase Shift of Laser-Induced Thermal Elastic Wave

著者名: 中村 勝晶(日本大学),谷山 哲哉(日本大学)

著者名(英語): Yoshiaki Nakamura(Nihon University),Tetsuya Taniyama(Nihon University)

キーワード: CO2レーザー|熱弾性波|シリコンウエハー

要約(日本語): 金属板と合金板にCO2レーザー光を断続的に照射したとき発生する熱弾性波の位相差から熱拡散率を求める方法について検討してきた。今回はCO2レーザー光の透過性材料であるシリコンウエハーを試料として、光学的に薄い材料の熱拡散率測定法について検討した結果、熱弾性波の位相差はシリコンウエハーの抵抗率ρに大きく依存することが判った。使用したシリコンウエハーはP-typeの4種類、N-typeの4種類、合計8種類である。これらの実験結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,256 Kバイト

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