光電効果を用いた高抵抗材料の抵抗率低減法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-143

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Reduction of electrical resistivity for high resistance materials by the potoelectric effect.

著者名: 横井 義充(中部大学),高橋 英昭(中部大学),浜辺 誠(中部大学),山口 作太郎(中部大学)

著者名(英語): Yoshimitsu Yokoi(Chubu University),hideaki Takahashi(Chubu University),Makoto Hamabe(Chubu University),satarou Yamaguti(Chubu University)

キーワード: 放電加工|光導電効果|SiC|抵抗率低減

要約(日本語): 金型等の複雑な形状加工の一つに放電加工があり、導電性の良い加工には優れている。しかし、セラミック等の非導電性材料では困難であった。これは抵抗が大きいため十分な放電電流が流れないためである。したがって、サンプルの抵抗を下げることが課題となる。そこで絶縁体や半導体では光を照射すると電気伝導が向上する現象を利用することにした。抵抗率が高いSiC材料にLEDを用いて赤、黄、緑、青、紫外光を照射し、電流-電圧特性を測定した。更に、抵抗率-電界強度特性を求めた。その結果、短波長照射(青色)では光伝導効果が大きく、抵抗率が約1/3に低下した。さらに、電界強度を240V/mm以上にするとアバランシェ効果によって約1桁以上抵抗率が下がることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 613 Kバイト