低エネルギーイオン照射によるPMMAの架橋構造の導入 - 分子の拡散抑制に及ぼす架橋構造の導入 -
低エネルギーイオン照射によるPMMAの架橋構造の導入 - 分子の拡散抑制に及ぼす架橋構造の導入 -
カテゴリ: 全国大会
論文No: 1-188
グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集
発行日: 2005/03/15
タイトル(英語): Introduction of cross-linking structure on Modified PMMA by using Low Energy Ion Irradiation ?Effect of cross-linking structure on diffusion prevention of molecules-
著者名: 初谷 恵美子(武蔵工業大学),浜村 尚樹(武蔵工業大学),岩尾 徹(武蔵工業大学),湯本 雅恵(武蔵工業大学)
著者名(英語): Emiko Hatsugai(Musashi Institute of Technology),Naoki Hamamura(Musashi Institute of Technology),Toru Iwao(Musashi Institute of Technology),Motoshige Yumoto(Musashi Institute of Technology)
キーワード: イオン照射|窒素|PMMA|架橋構造
要約(日本語): 今回の報告では、分子の拡散抑制に及ぼす架橋構造の効果を確かめるために、PMMAに染色可能な染色剤を用いる方法を取り上げた。表面改質することにより架橋構造が形成されれば、染色剤の試料内部への拡散が抑えられるはずである。そこで、染色した試料と同一条件で染色していない試料の透過率比を測定し、分子拡散に及ぼす架橋構造の効果について検討した。その結果、イオンの加速エネルギーが高いほど、透過率は高くなり、加速電圧が高いほど、染色剤の侵入量が少ないことが示された。高いエネルギーを持ったイオンは深いところまで侵入するため、架橋構造が厚く形成され、染色剤の拡散を防いだと考えられる。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 606 Kバイト
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