低エネルギーイオン照射によるHOPG表面改質層形成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-189

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Formation of modified-layer on HOPG by using low energy ion irradiation

著者名: 浜村尚樹 (武蔵工業大学),荒井麻紗子 (武蔵工業大学),吉田明 (武蔵工業大学),湯本雅恵 (武蔵工業大学)

キーワード: イオン照射|HOPG|FT?IR|XPS|N1sスペクトル

要約(日本語): 著者らは100eV～1keV程度の低エネルギー領域の窒素イオン照射による高分子の表面改質を行い，改質層の深さ方向の組成および化学結合状態の解析を行ってきた．改質層の形成過程を明らかにするためHOPGを試料に用い，XPS角度分解分析およびラマン分光分析を行ったところ，改質層の厚さは加速エネルギーに依存するが，化学結合状態の依存性は低い可能性を示唆した．しかし，これまでの報告のなかで検討してきたXPSのN1sスペクトルには，窒素含有の極性基の他にピリジンや四級窒素も含まれるため窒素の結合状態を明らかにすることが困難であることから，今回の報告ではFT-IRを用いて改質層の化学結合状態の分析を行った結果をまとめた．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 638 Kバイト