半導体リソグラフィ用EUV光源の光学的特性に関する研究

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-199

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Study of EUV Sorce on Optical Characteristic for Semiconductor Lithography

著者名: 岩田和宏(東京工業大学),本間友祐(東京工業大学),宋仁皓(東京工業大学),Masnavi Majid(東京工業大学),Smruti Mohanty(東京工業大学),渡邊正人(東京工業大学),沖野晃俊(東京工業大学),安岡康一(東京工業大学),堀岡一彦(東京工業大学),堀田栄喜(東京工業大学)

著者名(英語): KAZUHIRO IWATA|YUSUKE HOMMA|IN HO|SONG MASATO|WATANABE AKITOSHI|OKINO KOUICHI|YASUOKA KAZUHIKO|HORIOKA EIKI|HOTTA

キーワード: プラズマ|放電生成|EUV光|パルスパワー

要約(日本語): 近年、半導体デバイスの高集積化のため，次世代のリソグラフィ用光源として波長13.5 nmのEUV光の開発が進められている。本研究では，放電生成プラズマ方式を用い、キャピラリー放電型および現在開発中の半径方向ガス入射放電型EUV光源の光学的な特性を評価することを目的として，透過型分光計測器を設計・製作した。そして，キセノンのパルス放電を行って必要とされる13.5 nm帯の発光を確認し，EUV出力の測定を行った。また，入力電流，ガス圧力，予備電離電流などの放電パラメータを変化させた場合のEUV放射プラズマ像を撮影するためにピンホールカメラを製作して測定を行い，各パラメータとプラズマ形状の関係を明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 643 Kバイト