シリコンゲルの電荷挙動が絶縁特性に及ぼす影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-007

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Effect of Space Charge Behavior in Silicone Gel on Electrical Insulation Characteristics

著者名: 塩田裕基 (三菱電機),武藤 浩隆(三菱電機)

著者名(英語): Hiroki Shiota(Mitsubishi Electric Corporation),Hirotaka Muto(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 電荷挙動|絶縁特性|シリコンゲル|封止絶縁材料

要約(日本語): シリコンゲルはパワーモジュール等の封止絶縁材料として広く使用されている。シリコンゲルの電荷挙動についてPEA法を用いて評価し、絶縁特性｛AC破壊電界/DC破壊電界、tanδ、もれ電流｝との相関について述べる。シリコンゲルと架橋密度が異なるシリコンゴムについても同様に検討し、ゲルと比較した。シリコンゲル中の電荷挙動をPEA法により測定した。ゲルとゴムとを比較した結果、ゲルの方が絶縁破壊電界が低く、その原因の一つが空間電荷の形成されやすさであることが確認できた。また、イオン不純物量の分析やtanδ特性からも今回測定したゲルはゴムと比較すると、空間電荷が形成されやすいと推定された。

原稿種別: 日本語

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