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プロトン照射絶縁材料の正電荷蓄積

プロトン照射絶縁材料の正電荷蓄積

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-010

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Positive Charge Accumulation in dielectric materials irradiated Proton beam

著者名: 三宅弘晃 (武蔵工業大学),田中康寛 (武蔵工業大学),高田達雄 (武蔵工業大学)

キーワード: PEA法|プロトン照射|ガラス材料|宇宙環境|帯電計測

要約(日本語): 近年、太陽フレア等の高エネルギー放射線によって「みどり2号」のように人工衛星の障害が多数報告されている。静止衛星が活動する放射線環境では、高ネルギー電子やプロトンが支配的な環境因子となる。人工衛星の熱制御材やカバーガラスをターゲットとして電子線を照射し、その材料の帯電特性については過去様々な研究者たちによって行われてきたが、プロトン照射による絶縁材料の帯電特性について、内部帯電計測という観点からはほとんど行われてきていない。そこで本研究ではプロトンに注目し、人工衛星の表面材料の帯電と人工衛星故障との関係調査するために人工衛星の熱制御在野カバー材料などに使用されているガラス材料と高分子材料をとりあげ、それらに高エネルギーのプロトンを照射し照射後に材料内の蓄積電荷分布の測定をPEA法にて行った。その結果、プロトン照射により材料内に正電荷蓄積が観察され、蒸着したガラス材料では電荷蓄積が観察されないという世界初の結果を得られので、その実験結果と共にプロトンによる電荷蓄積・無蓄積現象について考察したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 860 Kバイト

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