熱処理と電界印加処理を用いたP3HT-FETの特性制御

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-094

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Control of P3HT-FET characteristics after fabrication using thermal treatment and field application.

著者名: 飯塚 正明(千葉大学),西村 悠(千葉大学),酒井 正俊(千葉大学),中村 雅一(千葉大学),工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Iizuka Masaaki(Chiba University),Nishimura Haruka(Chiba University),Sakai Masatoshi(Chiba University),Nakamura Masakazu(Chiba University),Kudo Kazuhiro(Chiba University)

キーワード: ヘキシルチオヘン|有機FET|熱処理|電界印加|特性制御

要約(日本語): ポリヘキシルチオヘン薄膜を用いた電界効果トランジスタを作製し、熱処理と電界印加処理を用いて素子作製後での特性制御を試みた。熱処理を施した結果、On/Off比は5桁程度まで上昇し、しきい電圧が-32V程度となった。また、電界印加処理を施した結果では、窒素中ではしきい電圧が減少し、酸素と溶媒を含む雰囲気内ではしきい電圧が増加した。再び、窒素中で行うと特性が回復する事が分かった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 844 Kバイト