アゾベンゼン構造を持つ高抵抗ポリイミド薄膜の作成とその電気伝導特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-100

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Preparation and Electrical Properties of High Resistance Polyimide Thin Film with Azobenzene

著者名: 平野 晃嗣(三重大学),飯田 和生(三重大学),大下 昭憲(三重大学),澤 五郎(愛知工業大学)

著者名(英語): Koji Hirano(Mie University),Kazuo Iida(Mie University),Akinori Ohshita(Mie University),Goro Sawa(Aichi Institute of Technology)

キーワード: ポリイミド|高抵抗材料

要約(日本語): 一般的に高抵抗材料として用いられている複合体の欠点を解消するために芳香族高分子による抵抗体を用いることは有用であると考えられる。広く使われているPMDA-DDEポリイミド(PI)はエーテル結合により絶縁性を示すが、そこの部分をアゾベンゼン構造にすることによってπ電子が広がり抵抗率が低下する。ここではアゾベンゼン構造を持つPMDA-DDB PIとPMDA-DA PIの2つのPIで電流電圧特性を評価した。その結果2つのPIでは抵抗率を低下させる要因と考えられる繰り返し単位内にあるπ電子系の大きさと、分子鎖の対称性からくる分子配向の良さの2つの要因の内、前者が大きな影響を持つことがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 675 Kバイト