高圧水蒸気アニールによる酸化膜特性の改善

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-115

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): The improvement of Silicon oxide property by high pressure water annealing

著者名: 卜部 友二(協真エンジニアリング),衣川 香代(協真エンジニアリング),中村 光寿(協真エンジニアリング),高島 賢二(協真エンジニアリング)

著者名(英語): Yuji Urabe(KOY ENGINEERING CORPORATION),Kayo Kinugawa(KOY ENGINEERING CORPORATION),Mitsutoshi Nakamura(KOY ENGINEERING CORPORATION),Kenji Takashima(KOY ENGINEERING CORPORATION)

キーワード: 水蒸気|酸化膜|アニール|高圧|トランジスタ|LTPS

要約(日本語): 近年LCD業界ではp-SiTFTの生産において、生産ラインの歩留まり向上が課題となっている。特にTFTディスプレーの品質が大きく左右される、ゲート酸化膜とp-Si膜の成膜工程において品質の向上と歩留まり改善が求められている。しかし、LCD基板の安価な無アルカリガラスは、高温では扱えないので品質の向上が難しい。そこで、高圧水蒸気アニールによる酸化膜特性の改善が試みられてきた。今回は素子の特性改善に加え、バッチ処理装置としての処理の均一性について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 547 Kバイト