SIサイリスタを用いたナノパルス電源によるダイヤモンド状炭素膜成膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-116

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Preparation of Diamond-like Carbon Films using Nanopulse Generator Employing SI Thyrister

著者名: 近藤 好正(日本ガイシ),齊藤 隆雄(日本ガイシ),寺澤 達矢(日本ガイシ),大竹 尚登(東京工業大学)

著者名(英語): Yoshimasa Kondo(NGK INSULATORS,LTD.),Takao Saito(NGK INSULATORS,LTD.),Tatsuya Terazawa(NGK INSULATORS,LTD.),Naoto Ohtake(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|SIサイリスタ|ナノパルスプラズマ|CVD

要約(日本語): 本研究ではSIサイリスタを用いたナノパルスプラズマCVD法により，DLC膜を合成することを目的としたものである。パルスプラズマCVDによる成膜プロセスはイオンプロセスであるので，原料ガスを解離して，基板表面まで移送する事が必要となる。一般的なパルスプラズマCVDでは，マイクロ秒オーダでのパルス印加時間が必要とされている。本研究ではナノ秒オーダーであるため，従来と同じ成膜原理を取るならば，成膜レートはパルス幅の影響を受ける事が予想され，十分な成膜レートが得られないことになる。そこで，SIサイリスタを用いたナノパルスプラズマCVD法の成膜の可否を明らかにし，本成膜法の特徴を調査した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 878 Kバイト