ITO基板上に作製したペンタセン静電誘導トランジスタの特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-001

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Characteristics of pentacene static induction transistor fabricated on ITO substrates

著者名: 渡辺康之 (千葉大学),家地洋之 (千葉大学),飯塚正明 (千葉大学),工藤一浩 (千葉大学)

キーワード: 有機半導体|有機トランジスタ

要約(日本語): 縦型構造を有する有機静電誘導トランジスタ（SIT）は、チャネル長が有機半導体薄膜の膜厚に相当するため、横型トランジスタ構造よりもチャネル長を短くすることが可能となり、有機半導体のような高抵抗・低移動度の材料においても低電圧駆動、高速動作が期待できる。我々は、有機半導体を用いたSITを作製し、その特性について報告してきた。本研究では、ペンタセンを用いて有機SITを作製し、より高い変調度を得るための検討を行った。その結果、高い変調度を得るには、ゲート電極間隔を狭めるだけでなく、ソース電極に用いるITO基板表面処理による仕事関数の変化に対して最適化を行う必要性があることが示唆された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,450 Kバイト