Si基板上に成膜したPZT薄膜を用いたアクチュエータ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-124

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Micro-actuator using piezoelectric PZT thin films deposited on Si substrate

著者名: 遠藤広宣 (京都大学),田澤慶朗 (京都大学),鈴木孝明 (京都大学),神野伊策 (京都大学),小寺秀俊 (京都大学)

キーワード: 圧電薄膜|MEMS|アクチュエータ

要約(日本語): 本研究では，スパッタ法を用いてSi基板上にPZT圧電薄膜を形成し，微細加工によってアクチュエータを作製した．アクチュエータは，上部電極Pt層および下部電極Cr層によって圧電薄膜がはさまれたユニモルフ構造をした片持ち梁となっている．長さを500μm・幅を90μmとした．共振周波数が6.9kHzであることと変位特性からPZTのヤング率，圧電定数をそれぞれ45.1Pa，-14.1pm/Vと算出した．特性の低下は，微細加工の不完全性または残留応力によって生じた比較的大きな初期たわみが原因として考えられる．加工プロセス，残留応力の最適化によって，RF-MEMSスイッチにも応用できるようになると考えられる．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,480 Kバイト