高周波MEMSスイッチの耐電力評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-127

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Evaluations of RF-MEMS switches for high power handling capabilities

著者名: 出尾晋一 (三菱電機),曽田 真之介(三菱電機),吉田 幸久(三菱電機),半谷 政毅(三菱電機),西野 有(三菱電機),田口 元久(三菱電機)

著者名(英語): Shinichi Izuo(Mitsubishi Electric Corp.,Advanced R&D Center),Shinnosuke Soda(Mitsubishi Electric Corp.,Advanced R&D Center),Yukihisa Yoshida(Mitsubishi Electric Corp.,Advanced R&D Center),Masatake Hangai(Mitsubishi Electric Corp.,Advanced R&D Center),Tamotsu Nishino(Mitsubishi Electric Corp.,Advanced R&D Center),Motohisa Taguchi(Mitsubishi Electric Corp.,Advanced R&D Center)

キーワード: 高周波|MEMS|スイッチ|耐電力

要約(日本語): MEMS技術を用いた高周波用機械スイッチの設計・試作・評価をおこなった。メッキ技術および犠牲層技術により微小スイッチ構造体を作製した。金メッキ膜が構造体となるスイッチであり、静電力による駆動方式で駆動電圧は35Vである。10GHzにおいてOn時の挿入損失は0.5dB,Off時のアイソレーションは28.0dBであり良好な結果が得られた。5GHzで入力電力を増加させホットスイッチングの条件で動作試験をおこなったところ、1.5Wの入力電力においても正常にスイッチ動作することが判明した。この時の挿入損失は0.6dB程度、アイソレーションは35dB程度であり、挿入損失、アイソレーション特性共に入力電力によらずほぼ一定値を示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 626 Kバイト