Siドライエッチングを用いたX線マスク作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-132

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Fabrication of X-ray mask using a Si dry etching

著者名: 田中 誠人(姫路工業大学),瀧口 欣司(姫路工業大学),杉山 嘉也(エリオニクス),村越 庸一(産業技術総合研究所),前田 龍太郎(産業技術総合研究所),船曳陽一(ナノクリエート),奥田 孝一(兵庫県立大学),服部正高度産業科学技術研究所(兵庫県立大学高度産業科学技術研究所)

著者名(英語): makoto Tanaka|Kinji Takiguchi|Yoshinari Sugiyama|Yoichi Murakoshi|Ryutaro Maeda|Yoichi Funabiki|Koichi Okuda|Tadashi Ha

キーワード: X線マスク|ICP|LIGAプロセス|UVリソグラフィ

要約(日本語): 本研究ではUVリソグラフィに加え、ICPによるSiドライエッチングを用いてX線マスク作製を検討した。基板としてはSiウェハ上にCr-Cu-Crのシード層、Poly-Siのエッチング層、Crのエッチングマスク層をそれぞれ所定の膜厚分スパッタ法にて堆積させたものを用い、ドライエッチングではASEと呼ばれるSF6を流して底面をエッチングするステップとC4F8を流して保護膜を壁面に堆積させるステップを交互に繰り返す手法を用いた。その結果、ドライエッチングにて膜厚5μm、上部4.20μm、下部4.19μmの非常に良好な矩形の構造体を得られ、それに金鍍金をすることで高精度なX線マスクを作製することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 712 Kバイト