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表面バルクマイクロマシン構造Ba(Ti,Sn)O3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製

表面バルクマイクロマシン構造Ba(Ti,Sn)O3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-159

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル:表面バルクマイクロマシン構造Ba(Ti,Sn)O3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製

タイトル(英語): A Fabrication of Ba(Ti,Sn)O3 Film Dielectric Bolometer Mode IR Sensor Using a Surface Bulk Micromachine Structure

著者名: 松元 光輝(大阪府立産業技術総合研究所),Daniel Popovici(大阪大学),村上 修一(大阪府立産業技術総合研究所),宇野 真由美(大阪府立産業技術総合研究所),野田 実(大阪大学),奥山 雅則(大阪大学)

著者名(英語): Mitsuteru Matsumoto(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Daniel Popovici(Osaka University),Shuichi Murakami(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Mayumi Uno(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Minoru Noda(Osaka University),Masanori Okuyama(Osaka University)

キーワード: 赤外線センサ|誘電ボロメータ|Ba(Ti|Sn)O3|表面バルクマイクロマシン

要約(日本語): 我々は高い誘電率温度係数を持つBa(Ti,Sn)O3強誘電体薄膜と新たに考案した表面バルクマイクロマシンプロセスによるブリッジ支持熱絶縁構造誘電ボロメータ型赤外線センサを試作した。ブリッジ部の弾性強化によるブリッジ部歩留向上のためブリッジ上の電極幅を10µmから20µmに増加した結果、熱絶縁性悪化のために出力の低下が見られたものの、ブリッジ部クラックが激減して歩留は10%未満から90%以上へと大幅に向上した。今回構造では(Ba,Sr)TiO3使用時と比較して出力は約30%向上し、周囲温度25℃時、40℃まで熱源検知できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,489 Kバイト

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