SiC-SITの負荷短絡ターンオフ特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Simulation of Short-Circuit Operation for SiC Static Induction Transistors

著者名: 矢野 浩司(山梨大学),春日 正伸(山梨大学),八尾 勉(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所),福田 憲司(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Koji Yano(University of Yamanashi),Masanobu Kasuga(University of Yamanashi),Tsutomu Yatsuo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yasunori Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kenji Fukuda(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazuo Arai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: パワーデバイス|SiC|SIT|シミュレーション

要約(日本語): SiC-SITのスイッチング動作時の信頼性を確認するために負荷短絡ターンオフ特性のシミュレーションを実施した。解析対象素子は、定格電流2A、耐圧800Vのノーマリオン素子とした。シミュレーションの結果、電源電圧300V、ゲート負電圧ー10Vで負荷短絡ターンオフ動作に成功することが確認できた。この際の素子中の最大格子温度は1550Kに達し、短絡時の平均電流値は定格電流の20倍であった。即ち不飽和I-V特性を持つSITは負荷短絡時にこのような過酷な条件下に置かれるが、ワイドバンドギャップ材料であるSiCを用いることで、短絡時の信頼性を確保できる可能性があることが予測できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 598 Kバイト