98.5%QRASシリコンカーバイトチョッパ回路の損失ブレークダウン評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): 98.5% QRAS Silicon Carbide chopper circuit and Evaluation by means of the power dissipation breakdown

著者名: 弦田 幸憲(横浜国立大学),神頭利史 (横浜国立大学),河村 篤男(横浜国立大学)

著者名(英語): Yukinori Tsuruta(Yokohama National University),Toshifumi Kouzu(Yokohama National University),Atsuo Kawamura(Yokohama National University)

キーワード: DC-DCコンバータ|2スイッチソフトスイッチング|ロスレス共通スナバ

要約(日本語): 著者らは，先に，超低損失次世代パワーデバイスであるSiC半導体を用いて新方式QRASによる予備検証を行い速報として報告した。今回，差動アンプ(レクロイ社製DA1855A)を用いた高精度測定による追実験を行い，98.5%SiC-QRASの効率をSiC半導体とSi半導体との逆回復特性の原理的な違いの視点から比較評価したので報告する。損失ブレークダウン評価の結果，約1%の効率改善の効果を再確認した。今後も，さらにSiC変換回路トポロジーの探索とその実験による検証を行っていく予定である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,104 Kバイト