1200V系Si-IGBTと1200V系SiC-SBDによる2レベル三相インバータの損失予測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Power Loss Estimate for 2 Level 3 Phase Inverter using 1200 V-Class Si-IGBT and 1200 V-Class SiC-SBD

著者名: 附田 正則(東芝セミコンダクター社),大村一郎 (東芝セミコンダクター社),齋藤 渉(東芝セミコンダクター社),土門 知一(東芝ビジネスアンドライフサービス),山口 正一(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Masanori Tsukuda(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Ichiro Omura(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Wataru Saito(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Tomokazu Domon(Toshiba Business & Life Service Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company)

キーワード: 1200V|Si-IGBT|SiC-SBD|インバータ|損失|パワー密度

要約(日本語): インバータなど電力変換器は、低損失化と高周波化による高パワー密度化が求められている。そのためSiC?SBDを用いた高パワー密度化について検討した。検討は順方向特性とスイッチング損失を測定し、その結果を用いてインバータの損失を計算した。その結果、スイッチング損失は従来から用いられているSi?pinに対して2分の1になるため、ヒートシンクを除くインバータ回路のパワー密度が2倍（体積が2分の1）になることが判明した。チップサイズはSi?pinの20％で十分低損失化の効果がある。今後Si?IGBT構造の最適化により、更に高パワー密度化される可能性が高い。

原稿種別: 日本語

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