600V級 Deep Implanted gate Vertical JFETの電気特性の温度依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Electrical Characteristics Temperature Dependence of 600V-class Deep Implanted Gate Vertical JFET

著者名: 水上 誠(東芝研究開発センター),滝川 修(東芝研究開発センター),今井 聖支(東芝研究開発センター),木下 浩三(東芝インフォメーションシステムズ),畠山 哲夫(東芝研究開発センター),土門 知一(東芝研究開発センター),四戸 孝(東芝研究開発センター)

著者名(英語): Makoto Mizukami(Toshiba Corporation Corporate Research & Development Center),Osamu Takikawa(Toshiba Corporation Corporate Research & Development Center),Seiji Imai(Toshiba Corporation Corporate Research & Development Center),kozo Kinoshita(Toshiba I.S. Corporation),Tetsuo Hatakeyama(Toshiba Corporation Corporate Research & Development Center),Tomokazu Domon(Toshiba Corporation Corporate Research & Development Center),Takashi Shinohe(Toshiba Corporation Corporate Research & Development Center)

キーワード: 電界効果トランジスタ|パワー半導体

要約(日本語): 4Hシリコンカーバイドを用いた600V-5A級プレーナ型VJFETの電気特性の温度依存性を評価したので報告する。チャネル領域をイオン注入のみの簡便な方法で試作した素子で、室温での典型的な耐圧とオン抵抗は、耐圧600Vの素子で13mΩcm² であり、室温から400℃での静特性の温度依存性を測定したところ、キャリアの移動度はフォノン散乱により支配されていることがわかった。また、耐圧はチャネルのリークで決定している事がわかった。なお、室温から200℃での動特性の温度依存性によりオン状態のパワー損失は3倍に、ターンオン / ターンオフのパワー損失は、1．2倍 / 1．8倍にそれぞれ増加していることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,415 Kバイト