Si基板上パワーAlGaN/GaN SBD

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Power AlGaN/GaN SBD on Si Substrate

著者名: 町田修 (サンケン電気),岩上信一 (サンケン電気),柳原将貴 (サンケン電気),中西浩 (サンケン電気),江原俊浩 (サンケン電気),熊倉弘道 (サンケン電気),金子信男 (サンケン電気),馬場良平 (サンケン電気),猪澤道能 (サンケン電気),大塚康二 (サンケン電気)

キーワード: GaN|SBD|Si基板|化合物半導体

要約(日本語): 電源機器の高効率化のために、ローコスト、低損失なSi基板上GaN系電子デバイスの開発を行っている。今回、5インチ径のSi基板上にバッファ層／GaN層／AlGaN層を成長したエピタキシャルウエハを用いて、2次元電子ガス層を導電層として利用したパワーAlGaN/GaN SBDを作製した。アノード電極周囲長が50mm、活性部面積が1.1mm2のAlGaN/GaN SBDにおいて、順方向電流2Aのときに順方向電圧1.7Vを、耐圧450Vを得た。また、本SBDには、Si FRDにみられるような順方向電流に比例した大きなリカバリー電流は認められなかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 663 Kバイト