変換器低損失化へのSiC-SBDの効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Effect of SiC-SBD for Low Loss Converters

著者名: 釜我昌武 (東京工業大学),安達 和広(産業技術総合研究所),色川 泰史(東京工業大学),Kyungmin Sung(東京工業大学),大橋 弘通(東京工業大学)

著者名(英語): Masamu Kamaga(Tokyo Institute of Technology),Kazuhiro Adachi(AIST),Hirohumi Irokawa(Tokyo Institute of Technology),Kyungmin Sung(Tokyo Institute of Technology),Hiromichi Oohashi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: SiC-SBD|デバイスシミュレーション|高速電力変換器

要約(日本語): 高速電力変換器へのSiC-SBDの効果を,低損失化の観点から従来のSi-PiNと比較検討した。半導体デバイスシミュレータを用いて，600[V]耐圧のダイオード（SiC-SBD，Si-PiN）とSi-IGBTで構成されるチョッパ回路において，素子の総合損失を計算した。Si-IGBTとSiC-SBDの組合せと，Si-IGBTとSi-PiNの組合せを比較した結果，SiC-SBDを用いるとSi-PiNよりもチョッパ回路のスイッチング損失が半分近く低下することがわかった。この結果を使い，SiC-SBDの高速リカバリ特性による高周波化・低損失化の可能性を定量的に確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 639 Kバイト