SODI構造による誘電体分離HVICの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Improvement of dielectric isolated HVIC in SODI structure.

著者名: 秋山肇 (三菱電機),保田直紀 (三菱電機),熊谷敏之 (ルネサスデバイスデザイン),高梨健 (三菱電機),守谷純一 (三菱電機)

キーワード: インバータ|モーター制御|誘電体分離|HVIC|PVSQ|SODI

要約(日本語): 誘電体分離HVICの低コスト化とレベルシフトデバイスの高耐圧化を目的として新規誘電体分離構造SODIを提唱し、ドライバーHVICを試作して基本特性を確認した。SODIはレベルシフトデバイスの直下に局所的な厚膜絶縁膜領域を形成するものである。今回ハイパワードライエッチングによりウェハ裏面側から500μmの高段差開口部を形成し、シリコンラダーポリマーの一種であるPPSQをインクジェット塗布法によって開口底部に厚膜形成した。これらは半導体プロセスにおける新規の試みである。試作したドライバーHVICのチップ面積に占めるSODI開口部の割合は1～4％程度であり、以前に報告したKOHエッチングによる開口部面積を大幅に縮小することができた。環境温度に対するレベルシフト動作を検証したところ?40～＋150℃の範囲で正常動作を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,314 Kバイト