高速スイッチングにおけるゲートドライブ条件と素子損失の相互関係

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Correlation between gate drive parameters and device losses in a high speed switching operation

著者名: 色川 泰史(東京工業大学),高尾 和人(産業技術総合研究所),大橋弘通 (東京工業大学)

著者名(英語): Hirofumi Irokawa(Tokyo Institute of Technology),Kazuto Takao(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Sung Kyungmin(Tokyo Institute of Technology),Hiromichi Oohashi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: SiC|高速スイッチング|ゲート回路パラメータ|スイッチング損失

要約(日本語): 次世代情報通信用電源などで、電力変換器の高パワー密度化が重要になる。変換器の高パワー密度化には、パワーデバイスの高速・低損失駆動が必要である。高速駆動において、デバイスのスイッチング損失はゲート駆動回路のパラメータに大きく依存するので、両者の相互関係を明らかにすることが必要である。ゲートドライブ条件と素子損失との相互関係を調べるため、ゲート回路パラメータを変化させたときの素子損失の変化を測定した。この結果をデバイスシミュレーションの結果と比較し、ゲート回路パラメータと素子損失の関係を定量的に明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,395 Kバイト