SiC - VJFET素子による高周波化の効果 - チョッパリアクトルの小型化 -

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-015

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Effects of Higher Frequency by SiC Vertical JFET - Miniaturizing of a Chopper Inductor -

著者名: 葛巻淳彦 (東芝),餅川宏 (東芝),松本寿彰 (東芝),齋藤涼夫 (東芝)

キーワード: SiC|JFET|SBD|チョッパ|リアクトル|効率

要約(日本語): 1200V系SiC?VJFET、SiC?SBDおよび鉄心リアクトルを使用した昇圧チョッパ回路の連続スイッチング試験を行った。鉄心リアクトル200µHは空心リアクトル2mHに対してインダクタンス値1／10で、体積は90％低減、重量は85％低減している。空心リアクトルを使用した場合スイッチング周波数80kHzで変換効率約98％、鉄心リアクトルを使用した場合スイッチング周波数150kHzで変換効率98％を達成した。高周波化が可能なSiCデバイスを使用することで、チョッパリアクトルの大幅な小型化が実現できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 763 Kバイト