Gd系バルク高温超電導体のGL転移温度近傍における捕捉磁束特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 5-047

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Trapped magnetic flux characteristics of Gd-system bulk HTS near glass-liquid transition temperature

著者名: 小蒲 義夫(京都大学),中村 武恒(京都大学),星野 勉(京都大学)

著者名(英語): Ogama Yoshio(Kyoto University),Nakamura Taketsune(Kyoto University),Hoshino Tsutomu(Kyoto University)

キーワード: 超電導|バルク|磁束ピンニング|グラスリキッド転移|捕捉磁束

要約(日本語): 近年バルクHTSの実用化を志向した研究が精力的に行われている。バルクHTSの応用では着磁させての使用が主であるにも関わらず,応用研究を行う者の間では，GL転移温度以上の温度領域ではHTSの実効的な臨界電流密度が0となり磁束が捕捉されないという性質は殆ど知られていない。GL転移温度の測定とその温度近傍における捕捉磁束特性を実験的に示す事は未だ行われていないのである。今回我々はGd系バルクを用いて上記の関係を実験的に証明すると言う事を行った。測定の結果から，臨界温度以下でもGL転移温度を越えると磁束の減衰が激しくなるという事が示され，バルクHTSの応用に於いてはGL転移温度が非常に重要なパラメータとなる事が実証された。

原稿種別: 日本語

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