Biの磁場方向による磁気抵抗効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-080

グループ名: 【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集

発行日: 2005/03/15

タイトル(英語): Longitudinal magnetoresistance of polycrystalline Bi

著者名: 山本 新(中部大学),浜辺 誠(中部大学),高橋 英昭(中部大学),山口 作太郎(中部大学),飯吉 厚夫(中部大学),米永 一郎(東北大学),渡辺 和雄(東北大学),奥村 晴彦(三重大学),岡本 庸一(防衛大学校),守本 純(防衛大学校)

著者名(英語): Shin Yamamoto(Chubu University),makoto Hamabe(Chubu University),Hideaki Takahashi(Chubu University),Sataro Yamaguti(Chubu University),Atsuo Iiyoshi(Chubu University),Ichiro Yonenaga(Tohoku University),Kazuo Watanabe(Tohoku University),Haruhiko Okumura(Mie University),Yoichi Okamoto(National Defense Academy),Jun Morimoto(National Defense Academy)

キーワード: 磁気抵抗|ゼーベック効果|ネルンスト効果|ビスマス|熱電素子|エネルギー変換

要約(日本語): 我々は熱から電気へ直接エネルギー変換する熱電発電素子を磁場中で使用することにより，発電電圧及び発電効率を向上させる研究をしてきた。熱電素子に磁場を印加すると磁気抵抗が現れ性能の低下の原因となってきた。ここで磁場を印加しても抵抗を減少させられるならば、性能向上へと大きくつながる可能性がある。そこで磁場方向を変化させたときのBiの磁気抵抗効果について測定した。Biは低温になるほど磁気抵抗の影響が大きいが、電流と平行に磁場を印加すると磁気抵抗の増加は少なくなり、さらに50K、1.5Tでは1.0Tの時よりも抵抗が減少した。この結果はBiナノワイヤーアレイの低温での実験結果と同等であり性能向上につながる可能性がある。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 696 Kバイト