抵抗皮膜を用いたλ/4型電波吸収体の温度分布

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-135

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Temperature Distribution of a λ/4 Type Wave Absorber Using Resistive Film

著者名: 渡邊 慎也(青山学院大学),斉藤耕太 (青山学院大学),谷口 晶俊(青山学院大学),橋本 修(青山学院大学),栗原 弘(TDK),斉藤 寿文(TDK)

著者名(英語): shinya Watanabe(Aoyama Gakuin University),Kota Saito(Aoyama Gakuin University),Akitoshi Taniguchi(Aoyama Gakuin University),osamu Hashimoto(Aoyama Gakuin University),Hiroshi Kurihara(TDK Corporation),Toshifumi Saito(TDK Corporation)

キーワード: FDTD法|熱伝導|対流|熱放射

要約(日本語): 近年，高電力下における電波吸収体の使用状況が増加している。この場合，吸収した電力により吸収体自体の温度が大きく上昇することから。発熱による延焼や吸収特性の変化が予想される。そのため吸収体の温度分布を把握することは，その使用限界や特性変化への対策等を行なうにあたり極めて重要となっている。本研究は，電磁界と伝熱現象全て(熱伝導，局所熱伝達，熱放射) を考慮可能な電磁界熱連成解析手法(以下，FDTD-SIMPLE-MR法)を用いてλ/4型電波吸収体の表面温度分布を求めた。そして，同吸収体を製作し，それに高電力を照射した場合の温度分布を求め，それぞれ比較した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,948 Kバイト