C8F18プラズマCVDによるa-C:F膜堆積- Ar混合の効果-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-157

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Deposition of a-C:F Films by C₈F₁₈ Plasma CVD - Effect of Ar Admixture -

著者名: 小池 広恵(北海道大学),田澤 将太(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),須田 善行(北海道大学),酒井 洋輔(北海道大学)

著者名(英語): Hiroe Koike(Hokkaido University),Shota Tazawa(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Hokkaido University),Yosuke Sakai(Hokkaido University)

キーワード: プラズマCVD|フルオロカーボン|絶縁膜|アルゴン|比誘電率|表面

要約(日本語): C8F18rfプラズマCVDにより非晶質フッ化炭素低誘電率絶縁薄膜を堆積した。膜表面観察と比誘電率測定の結果を基に検討したC8F18へのAr混合の効果について述べる。分圧0.2または0.3TorrのC8F18に0.1?0.3TorrのArを加えて封じ、rf電力100Wで銅またはシリコン基板に1?10分間堆積を行ったところ、Ar混合により膜表面が滑らかになる効果が観察された。C8F18/Ar=0.3/0.3Torrにおいて堆積時間とともに比誘電率が低下した。Ar*準安定励起原子によるC8F18分解促進や膜表面へのエネルギー供給、Ar+イオンの射突など、気相反応と表面反応の識別が今後の課題である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 817 Kバイト