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電子線照射によるシリカガラスのカソードルミネッセンス時間応答特性の評価

電子線照射によるシリカガラスのカソードルミネッセンス時間応答特性の評価

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-018

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Evaluation of the time response of cathodoluminescence for silica glass under electron-beam irradiation

著者名: 原田卓弥 (芝浦工業大学),西川宏之 (芝浦工業大学)

キーワード: カソードルミネッセンス|シリカガラス|欠陥

要約(日本語): 近年宇宙機の大型化が進み消費電力も増大している。それに伴い宇宙機に電力を供給する太陽電池発電システムにおいてカバーガラス、インターコネクタ、プラズマの三重接合点での放電が問題となっているが、その一つの要因としてカバーガラスの帯電現象が検討されている。太陽電池のカバーガラスには典型的な絶縁体である、約100μm の厚さのガラスが用いられているために、その高エネルギー粒子線照射下での帯電や欠陥生成などを明らかにすることは重要である。本研究の目的は、不純物濃度の異なるシリカガラスに対し、数十keV 程度の電子線による照射効果をCLスペクトルおよびその時間応答により評価することである。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,850 Kバイト

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