レーザアブレーション法による発光素子ZnOの成膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-089

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Deposition of ZnO luminescent device by laser ablation method

著者名: 胡桃 聡(日本大学),清水 洋平(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Satoshi Kurumi(Nihon University),Yohei Shimizu(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

キーワード: 発光素子|ZnO

要約(日本語): ZnOは3.37eVのバンドギャップをもつ酸化物半導体であり、透明性、抗菌性、安全性などにおいて優れた性質を持っていることから、様々な視点で研究が行われている。その中でも私たちは青から近紫外の発光に注目し、透明な発光材料を成膜することで素子化への指標を得ることを目標としている。そこで本稿ではレーザアブレーション法により作製したZnO薄膜の膜質、成膜条件を評価した。その結果、成膜中の基板温度がRT?300℃まではZnOを生成できないが、400℃に設定することでZnOの作製に成功した。これより基板温度は薄膜作製における結晶性の向上に関与することが判明した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 821 Kバイト