ZnOバリスタの結晶方位と課電劣化の関係

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-110

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Relationship between crystal oreintation and electrical degradation of ZnO Varistors

著者名: 高田 雅之(同志社大学),吉門進三 (同志社大学)

著者名(英語): Takada Masayuki(Doshisha University),Yosikado Shinzo(Doshisha University)

キーワード: ZnOバリスタ|課電劣化|アンチモン|結晶方位|双晶|XRD

要約(日本語): ZnOバリスタの結晶方位と課電劣化に関する研究を行った。ZnOバリスタはZnOに添加物としてBi-Mn-Co-Sbを用い，Sbの添加量を0?5000ppmまで変化させて作製した。作製した試料のZnOの結晶方位と課電劣化の関係について以下の方法で評価した。ZnOの結晶方位はXRDおよび光学顕微鏡により同定し，課電劣化特性は直流電流を通電させた後のV-I特性より求めた非線形指数とする。その結果以下の結論を得た。ZnOの（002）面の回折強度と課電劣化を30分行った後の非線形指数は同様の変化を示した。。つまり，粒界に面するZnOの方位と課電劣化特性に影響があると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 880 Kバイト